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. 大功率GaN基LED芯片光效提升关键技术研究及产业化 科技有限公司、芯片项目技术负责人；负责氮化镓发光二极管芯片项目的攻关与开发、工艺路线的制定和项目实施中设备的研制、材料生产的实施。 蓝宝石结晶 通过多次的实. 验数据论证和工艺修正，ISS3520 不仅有效地确保了产品. 的一致性，并大大降低了设备的能耗水平。 目前已开发出6寸硅衬底氮化镓基LED的外延及先进工艺技术，光效达到125lm/w,解决了制约裂纹和质量的问题，保证 发光二极管百度百科 砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光，氮化镓二极管发蓝光。 LED照明以其光效高、能耗低、寿命长、光衰小等优点，逐步取代白炽灯，被广泛应用于各个领域… 2013-12-26CSA工作简报2013年第3期 - 国家半导体照程研发及 但是新的技术和新的工艺仍然层出不穷的出现，任何一项技术的突破 公司之一，也于近日推出了发光效率达到130 lm/W 的45mil 的硅基. 大功率LED 芯片。 同时，. 6 英寸硅衬底上氮化 用以确定、评估和管理项目融资过程所涉及社会和环境风险的 - IFC 一般工艺改造. 危险物质及废弃物. 几乎所有的半导体及其他电子产品的生产过程都会产生有害的或有潜在危害的废弃物，如 . 体生产及磁设备和被动元器件生产中的激光切割、修边、化学机械抛光和背面磨削作业会产生. 少量粉尘。 澳洋顺昌绘制清晰LED技术线路图-科技频道-金融界 2014年7月25日 其中涉及LED芯片及外延片工艺改进的申请达到8项，核心功能多为提升光效;涉及到LED设备优化的为9项，主要集中在优化工艺 可以看出公司对近期直接能应用与生产的技术思路是，一手抓“效能（光效）”，一手抓“效率”。
2013年6月 - 广东省半导体照明产业联合创新 2013年7月9日 察了自主研制的生产型MOCVD37 片机，审阅了课题. 中期执行情况报告和 . 6 月10 日，在广州举行的2013 年LED 外延芯片技术及设备材料趋势专场中，晶. 能光电硅衬底LED 孙博士指出，目前已开发出6 寸硅衬底氮化镓基LED 的外延及先进工艺技术，光效. 达到125lm/w， 技术，在350mA 下，45 和55mil 的硅衬底LED 芯片分别达到140lm/w 和150lm/W。 .. LED用作工厂设备配电箱保险管座指示灯的电路。 3、普瑞 . 但在普通照明领域， 市场大规模的启动还有赖价格的下降与光效的提. 高。 目前淮安光电在审的发明多达17项（一种设置有掺硅GaN层的发光二极管外延片;一种氮化镓基发光二极管芯片;一种设置N-SLS层的GaN基发光二极管外延片; 其中涉及LED芯片及外延片工艺改进的申请达到8项，核心功能多为提升光效;涉及到LED设备优化的为9项，主要 大尺寸硅衬底氮化镓基LED的研发及产业化- 新闻- 九正建材网 2013年3月8日 目前国内外市场上LED半导体晶片的制备，大多数都采用蓝宝石或碳化硅衬底来外延生长宽带隙半导体氮化镓(GaN)。 加之近两年国内外企业过度在中国投资LED芯片生产过程中关键的设备MOCVD，不难推测出中国LED结构性产能过剩的局面 光效竞赛一直是各个厂商不能输的战争，CREE在照明市场的所向披靡不仅是其营销战略的成功，更加是技术上不断的刷新光效 出了用于LED照明的白色GaN-on-Si（硅基氮化镓）LED芯片“TL1F1系列（1W）”，并将从12月下旬开始以1000万个/月的规模量产。 性能研究、固体照明用新型硅氧基发光材料的产业化及. 超大规模集成电路65-40纳米成套产品工艺研发与产业化 - 豆瓣 2014年1月13日 众多IC设计公司把产品制造转到国内，开创了由国内设计公司我国工艺产业化的先河。 硅衬底"胎死腹中" 蓝宝石衬底主流地位不动摇 - 高工LED 曾有一段时间，硅曾被业内人士认为是市场前景的氮化镓基LED衬底材料，吸引了不少投资者的疯狂涌入。 6英寸硅衬底上氮化镓基大功率LED研发，有望降低成本50%以上。 化衬底（PSS）的加工，图形化的蓝宝石衬底可以有效提高LED芯片的亮度，提升光效，所以产品附加值也更高，在高功率LED芯片需求增加的情况下，图形化 焦点 - LEDs科技 的生产环境，生产大小一致、品质如一的高产蓝宝石结. 晶刚玉。 根据已运行 大的低成本硅芯片. 上生长氮化镓，由于它与现代半导体制造工艺具有兼容性，. 从而可以比现有方法减少75% 的成本。 将打破蓝宝石衬底和碳化硅衬底LED 芯片的垄断. 局面。 硅基氮化镓在大功率LED的研发及产业化-中国LED网资讯 2013年6月18日 日前，在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士 生产的数据，这是片内的波长标准偏差标准为1.3nm，波长范围为4nm微米。 半导体照明科技发展“十二五”专项规划 目前，国际上大功率白光LED（发光二极管）产业化的光效. 水平已经 实验室白. 光OLED 光效已达128 lm/W。
节能灯概念上市公司有哪些？节能灯概念上市公司一览 - 南方财富网 2012年8月3日 用氮化镓（GaN）材料制成的发光二极管（LED）在与普通白炽灯保持同样亮度下，其耗电量仅为后者的十分之一，寿命却 . 公司是国内早从事LED 外延片及芯片制造的企业，引进了当今世界先进的LED 外延生长和芯片制造的设备， 公司子公司士兰集成电路与美国Sipex 公司牵手合作，合作主要内容包括工艺技术的转移、生产设备的购买、产品 .. HID 灯有节能、光效高、寿命长、显色性能好等特点，已被奔驰全系列、宝马全系列、福特、三菱等车型采用，销量有望大幅增长。
5工艺流程. ▫ 芯片检验: ▫ LED扩片: ▫ LED点胶: ▫ LED备胶: ▫ LED手工刺片: ▫ LED自动装架: ▫ LED烧结: ▫ LED压焊: ▫ LED封胶 . 现时生产的白光LED大部分是通过在蓝光LED(near-UV，波长450nm470nm)上覆盖一层淡黄色荧光粉涂层制成的，这种 . 随着行业的继续发展，技术的飞跃突破，应用的大力推广，LED的光效也在不断提高，价格不断走低。 澳洋顺昌的成功转型之路-科技频道-金融界 2014年7月25日 从2011年开始调研LED行业，是LED上游具有较高技术含量的芯片制造，首先开始的工作是物色技术团队。 科学网—[转载]白光LED用荧光粉的技术发展状况- 张新民的博文 2010年10月22日 1 引言半导体照明器件生产是个系统工程，中上游外延片、芯片制造是基础，下游封装及应用领域涉及的荧光粉、各类封装用 表征荧光粉性能的主要宏观参数有：光效(受LED芯片激发的光通量(Lm)与激发光功率(W)之比);发光效率(受激发射光的能量( 目前此类基质的荧光粉发光机理、量产制备工艺及其量产需要的耐高温、高压的气氛炉值得也亟需加快研究。
但硅衬底上氮化镓外延生长技术难点颇多：晶格失配造成高密度缺陷；氮化镓的热膨胀系数是硅的两倍，导致出现张应力问题 排名，成功实现2英寸硅衬底氮化镓基大功率LED芯片的量产，生产的45mil的硅衬底LED芯片在350mA电流下的平均光效达到120流明/瓦，研发已突破140流明/瓦。 贵阳LED蓝宝石--相关文章 - 360Doc个人图书馆 此次，徐州蓝宝石衬底项目的投产，标志着协鑫光电已经具备年产1000万片蓝宝石衬底的生产能力。 对8 英寸硅芯片 .. LUXEON S 时，它们在实际工况下的光输出、光效和色坐标. 等参数都能够 附件 - 大连科技信息网 2014年5月6日 借助“软技术”提高切割设备效率20%以上，同时降低数控设备的耗材成本，每台年节省25万元，绿色造船，空气污染排放量减少10%以上。 普瑞光. LED产业未来几年产业格局变化大解析中国产业网- 中国产业网 2013年12月5日 经过十多年来努力，白光发光二极管的光效在实验室已达200lm/W以上，而市售的产品也已经可以达到150lm/W 晶粒及封装产品，但三星、LG、及首尔半导体很快的便将LED产能扩充完成，韩国厂商的MOCVD设备在2008年还不 虽然硅芯片的价格非常便宜，然由于硅芯片会吸收可见光，在LED晶粒制造过程中还需要先贴合到另一片透明 未来氮化镓磊晶采用硅基板是否能成为主流，将决定于能否克服氮化镓磊晶长在硅基板上所生产芯片破裂、弯曲而造成生产良率低的问题。
业内认为，LED照明应用暴发叠加蓝宝石手机盖板渗透率提升，蓝宝石长晶及相关设备需求将大幅提升甚出现供应缺口。 的白. 光功率型LED 光效再度刷新行业纪录，在相关色温4,401K 和 中微公司表示，他们的MOCVD 设备可以实现复杂的氮化. 镓、铟镓氮、铝镓氮超薄层结构的大批量生产，具有较高的生产效率。
公司产品 首先在国内开发研究成功制造发光二极管(LED)芯片规模化生产的工艺技术，从而填补了国内空白，打破了国内发光二极管芯片全部依靠进口的局面。 我国成功研发新一代基因测序仪达国际设备技术 江苏半导体照明 总第2 期 - 扬州半导体照明网 普瑞光电推出新型氮化镓硅衬底LED 制造技术. 34 40 多家外延芯片企业在未来3 年的设备购进计划超过1000 台。
合作，加大此类荧光粉的研制和产业化生产的研究，以形成自主知识产权，使我国将来在此类荧光粉产业方面有一席之地。 公司目前的 公司注册资本金为1.5亿元人民币，占地75亩，拥有进口生产设备一百二十多台套。 据了解，LED 芯片生产商的下游订单主要分为户外显示屏、背光源、照明三块。 砷化镓衬底&四元系材料的红黄光组合和蓝宝石衬底&氮化镓的蓝绿光组合是商业化程度的LED 衬底&外延组合。 蓝宝石衬底因外延工艺成熟，是目前市场上的主流技术路线。 与之相关的有机发光材料、生产装 . 实现核心设备及关键材料国产化. 4 技术；结合集成电路工艺的LED 芯片级光源技术；多片式MOCVD、. 孙钱：大尺寸硅衬底氮化镓LED产业人 - 科技中国 2013年4月9日 目前，市场上氮化镓基LED主要用蓝宝石衬底、碳化硅衬底及硅衬底3种。
其中固晶设备是一个集机电光一体化的设备，具有较高的技术门槛，但通过多年改进，目前国产固晶设备已能满足实际生产需要，已大批量使用;焊线机是LED封装 目前，国内LED外延、芯片及封装研发、生产、试验使用的设备大部分为进口，设备成本高，增加了LED企业的生产成本。 同时在美国和 厦门三安电子有限公司是目前国内、国际的超高亮度发光二极管外延及芯片产业化基地，占地5万多平方米。 .. 国内实现了65-40纳米成套产品工艺技术。 属硫化物实现高显色指数、低色温白光LED，因其具有硅氮(氧)四面 . 半导体制造工艺的兼容性，预计其能够降低75%的生产成本。 不论是购买国外进口设备，还是国内生产的设备，普遍的都遇到过技术不稳定，工艺不稳定的问题。 2010 年，我国 . 歇根州LED 照明技术的研发和固态照明生产及运营。 展望2013 LED行业面临怎样的机遇与挑战 - 上海中海龙新能源有限公司 在2012年10月由GE举行的LED发明50周年纪念会上，LED的开山祖师Holonyak表示，LED正处于“婴儿期”。
带着个疑问记者在国家知识产权局官网检索发现，目前淮安光电在审的发明多达17项(一种设置有掺硅GaN层的发光二极管外延片;一种氮化镓基发光二极管芯片;一种 其中涉及LED芯片及外延片工艺改进的申请达到8项，核心功能多为提升光效;涉及到LED设备优化的为9项，主要 可以看出公司对近期直接能应用与生产的技术思路是，一手抓“效能(光效)”，一手抓“效率”。 65/55纳米成套工艺技术实现了应变硅、镍化硅、源漏组合注入等关键 . 产业化功率型LED光效已突破120lm/W，实验室已实现130lm/W，光效是LED照明技术的一项核心指标，在这一指标上我们已走在国际前列。 地区某高管向记者透露“台积电的硅衬底芯片产品其实已经出来了，但性价比不是特别好，光效基本上能达到科锐产品的95%，但 同鑫光电科技有限公司是由协鑫集团与韩国AND公司强强组合，共同投资组建的合资企业，将致力于蓝宝石图形化衬底片(PSS)市场的研发、生产及销售。
