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装备制造产业 项目简介：纳米化妆品 - 皮肤保养恢复剂防老抗氧化剂的研发与生产自由基含不成对电子,是氧化应激反应的来源,造成皮肤细胞内部及外部 .. 项目简介：研发和制造产品包括工业控制、工业设备、机器人系列（码垛、装配、喷涂、焊接、LED贴片）、全自动包装机械、工业生产 工业机械手的驱动方式、精度、速度、载重等参数，可以根据客户实际使用要求量身定做。 .. 虽然碳化硅器件工艺和设备都与硅器件有很强的兼容性，但也远不是可以原封不动地照搬。 碳化硅——未来功率器件材料中国电力电子产业网 2013年7月16日 碳化硅不象其它矿物质那样有其自身矿藏，它也不会在自然界中自然出现，而需要用精炼炉的冶炼技术控制工艺 单晶碳化硅(SIC)比单晶硅(SI)具有很多优越的物理特性，例如(1)大约10倍的电场强度;(2)大约高3倍的热导率;(3)大约宽3倍禁带宽度;(4)大约高一倍的饱和漂移速度(见图1)。 电力电子器件的发展 - 360Doc个人图书馆 2009年1月6日 近几年西方发达的国家，尽管总体经济的增长速度较慢，电力电子技术仍一直保持着每年百分之十几的高速增长。
发展集成电路壮我国威军威 器系统中，信息设备的费用在. 整个武器系统中所占比例越来 击穿电压高、热导率高、电子饱和漂移速度快等特性，. 因而碳化硅器件可以在650℃. 的工作温度下保持良好的器. 件特性，功率器件可以达到很. 高的集成度。
研究表明提高淀积温度，可使 碳化硅纳米晶须的制备研究进展 - Research - 上海交通大学 关键词： SiC 纳米晶须; 制备方法; 纳米电子材料纳米复合材料 碳化硅具有宽带隙高临界击穿电压高热导率. 高载流子饱和漂移速度等特点[1~3] 的原材料易得设备简单成本低廉有可能大规模 . 工艺简单等特点缺点是容易形成团聚分散性和结. 高温电子设备对设计和可靠性带来挑战 - Analog Devices 高温应用. 古老以及目前的高温电子设备(>150℃)应用领域是地下 如岩性、孔隙度、渗透率，以及水/烃饱和度。 1000级微电子超净工艺实验 其中在材料外延生长方面，实验室拥有世界进的碳化硅外延生长设备－EPIGRESS公司6片热壁式低压SiC外延系统。 它具有禁带宽度高、饱和电子漂移速度高、临界电场击穿强度高、介电常数低和热导率高等特征。 穿电压高、电子饱和漂移速度高、热导率高、抗辐射能力强、化学稳定性好等优良的物理电子性质以及与硅集成电路工艺 商用碳化硅电力电子器件及其应用研究进展- 碳化硅功率器件肖特基 然而硅电力电子器件经过近60 年的长足发展，性能已经趋近其理论极限，通过器件原理的创新、结构的改善及制造工艺的进步已经难以大幅度的提升其 它具有禁带宽度高、饱和电子漂移速度高、临界电场击穿强度高、介电常数低和热导率高等特征。 电子元器件：宽禁带半导体一个新时代的来临机构报告财经资讯万 2013年8月28日 以宽禁带为主要特征的第三代半导体以更高的击穿电厂、更高的热导率、更高的电子饱和漂移速率和更高的抗辐射能力，开始在军事、航空航天、LED 照明等领域崭露头角。 大直径碳化硅晶体生长工艺及设备 - 科技成果 - 科易网 名称：大直径碳化硅晶体生长工艺及设备,简介：技术投资分析：碳化硅(SiC)具有禁带宽、临界雪崩击穿电场强度高、电子饱和漂移速度高、热导率高、以及耐高温、抗辐照和耐腐蚀等特点，是制造高性能电力电子 泰科天润陈彤：碳化硅量产给我国提供后发优势电子信息产业网 2014年2月11日 新一代碳化硅材料，能使功率器件电压轻松达到上万伏，能耗比原来降低几十倍。 .. 第三代宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是世界电子元器件的前沿产品，其具有高禁带宽度、高热导率、高击穿电场、高饱和电子漂移速率和 前16页 碳化硅(SiC)材料由于具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、电子迁移率. 高、临界击穿电场高、热导率高、介电常数小、化学稳定性好等优良的物理化学. 性质，成为制备高温、高频、大 同工艺条件对a-SiC:H 薄膜的影响。 目前，LED的成本正以每20％速度降低，估计明年开始，用于普通照明的LED灯将大幅增加。 而电力电子器件是 它具有禁带宽度高、饱和电子漂移速度高、临界电场击穿强度高、介电常数低和热导率高等特征。 6H-SiCMOS 场效应晶体管的研制Ξ - 中国科技论文在线 36 m S mm , 沟道电子迁移率约为14 cm 2 V. s, 但串联电阻效应明显。
比单晶硅具有很多优越的物理特性，例如（1）大约10倍的电场强度；（2）大约高3倍的热导率；（3）大约宽3倍禁带宽度；（4）大约高一倍的饱和漂移速度。 关键词: 碳化硅; 碳化硅材料的主要特点是: 禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、 刻, 器件的加工非常困难, 有的甚超出硅工艺设备所能工作的极限。
碳化硅电力电子器件研发进展与存在问题二极管中国百科网 2013年9月26日 作为一种宽禁带半导体材料，碳化硅不但击穿电场强度高、热稳定性好，还具有载流子饱和漂移速度高、热导率 下面，几种主要的碳化硅电力电子器件，从器件、材料和制造工艺的当前水平到存在的主要问题作一评述。 天富热电600509-受益振兴新疆碳化硅项目成来未来亮点 - 东方财富博客 2010年9月18日 新疆天科合达的成立转移了北京天科合达在研发开发的碳化硅晶体生长技术和工艺，致力于碳化硅晶体生长质量的稳定 经过多年卓有成效的研究，公司研发出拥有自主知识产权的碳化硅晶体生长炉和碳化硅晶体生长、加工技术和专业设备，建立了完整的碳化硅晶片生产线。 碳化硅（SiC）是目前发展成熟的宽禁带半导体材料，与其他半导体材料相比具有高禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高击穿 但是，由于碳化硅器件的发展速度受到碳化硅材料完整性的制约，而且在SiC材料和功率器件的机理、理论和制造工艺等方面，还有 纳米碳化硅单晶体的制备－挑战杯 饱和漂移速度大，相当于硅的2.5倍，临界击穿电场更高，将近高于硅一个数量级。 导率和更成熟的技术，而GaN 直接跃迁、高电子迁移率和饱和电子速率、成本更低的优点则使其拥有更快的研发速度。 基于碳化硅电力 近年利用碳化硅材料制作的IGBT（绝缘栅双极晶体管）等功率器件，已可采用少子注入等工艺，使其通态阻抗减为通常硅器件的十分之一。 β碳化硅晶体生长技术的若干基本问题--《西安理工大学》2002年博士论文 【摘要】： β碳化硅是碳化硅近200种不同结晶形态中的纯立方结构晶体，载流子迁移率高，电子饱和漂移速度大，更适合于 β-SiC薄膜生长23-25; 1．3．2 β-SiC晶体生长25-27; §1．4 本文主要内容27-28; 章SiC晶体生长设备及生长工艺28-34 碳化硅电力电子器件成为新的研究业界动态资讯中国粉体网 2013年8月16日 随着能源问题的日益凸显，电源、电动汽车、工业设备和家用电器等设备中功率变换器的性能提升变得尤为重要。 碳化硅电力电子器件成为新的研究-碳化硅，电子器-磨商网资讯 2013年9月5日 碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途，该材料技术 随着能源问题的日益凸显，电源、电动汽车、工业设备和家用电器等设备中功率变换器的性能提升变得尤为重要。 工艺上,受到实际水平的限制,即使在制造设备较为发达的国外,研究文献表明器件的制造工艺仍处于研发阶段,具体的工艺环节也在摸索之中。 碳化硅器件抗辐射能力较强，在航空等领域应用可以减轻辐射屏蔽设备的重量。 极限，通过器件原理的创新、结构的改善及制造工艺的进步已经难以大幅度的提升其总体性能，即将成为制约未来电力电子技术进一步发展的瓶颈之一。 由于可能面临新的故障机制，测试速度很难加快。 美国能源部“宽禁带半导体——追求承诺”编译 - 上海情报服务平台 2013年7月22日 与代、代半导体材料相比，宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数 各类半导体材料. 材料. 化学符号. 带隙能（eV）. 锗. Ge. 0.7. 硅. Si. 1.1. 砷化镓. GaAs. 1.4. 碳化硅. SiC. 3.3 该种工艺可以生产价格低廉的高质量的宽禁带半导体材料、设备和模块。
该器件独特的结构和工艺特点是：门-阴极周界很长并形成高度交织的结构，门极面积占芯片总面积的90%，而阴极面积仅 . 它的性能指标比砷化镓器件还要高一个数量级，碳化硅与其他半导体材料相比，具有下列优异的物理特点: 高的禁带宽度，高的饱和电子漂移速度，高的击穿 四）专用工艺设备和测试仪器产业化：电力电子器件生产专用工艺设备；专用检测仪器。
第三代半导体中SiC（碳化硅）单晶和GaN（氮化镓）单晶脱颖而出，有发展前景。 等)发展起来的第三代宽禁带半导体材料，具有大的禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高击穿电场强度、高热导率、低介电 天富热电：碳化硅晶片——改变我们的世界孟利宁新浪博客 2011年9月30日 碳化硅（C）作为目前发展成熟的宽带隙半导体材料，具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，其 自行研发了碳化硅晶片加工的关键工艺技术：针对超硬的碳化硅，选取适当种类、粒度和级配的磨料以及适当的加工设备来切割、研磨、抛光；碳化硅晶片的抛光（CMP）和清洗工艺。 长春市轨道客车电子配件生产项目 - 吉林省人民政府门户 2012年8月27日 另外，通过模块封装方式还可提供众多派生产品，在大中容量变换器应用中被寄予厚望，在轨道客车电力电子设备中的应用前景将十分广阔。
东莞市天域半导体科技有限公司 - 东莞市松山湖企业家协会 2013年2月28日 主要设备的先期投入已达1.5亿元人民币,是目前国内一家专业从事研发，生产，销售碳化硅外延片的企业。 片天富热电碳化硅晶改变我们的世界 - 360Doc个人图书馆 2011年11月17日 碳化硅(SiC)作为目前发展成熟的宽带隙半导体材料，具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，其 自行研发了碳化硅晶片加工的关键工艺技术：针对超硬的碳化硅，选取适当种类、粒度和级配的磨料以及适当的加工设备来切割、研磨、抛光； 碳化硅晶片的节能运用前途无量目前，LED的成本正以每年20％速度降低，估计明年开始，用于普通照明的LED灯将大幅增加。 天富热电600509的碳化硅题材价值几何？3333sh600509新疆淘 该材料具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高等优良特性，在高、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波性等 SiC作为目前发展成熟的宽带隙半导体材料，具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，其优异的性能可以 公司的创新点在于：我们自行设计制造了完全满足2英寸碳化硅晶体生长要求的设备，并研发出具有自主知识产权的碳化硅晶体生长和加工工艺。 虽然目前碳化硅材料、场效应器件技术已取得很大的进展,但在理论模型及器件工艺方面仍有较多问题亟待解决。 高频大功率碳化. 硅金属半导体 工艺等方面也对集成电路技术的发展不断提出新的. 研究课题。 4H-SiC 的带隙比6H-SiC 更宽，电子迁移 碳化硅场效应器件的模型及关键工艺技术研究--《西安电子科技大学 【摘要】：新型宽禁带半导体材料SiC兼有高饱和电子漂移速度、高击穿电场、高热导率等特点,在高温、大功率、高频、光电子、抗辐射等领域具有广阔的应用前景。 1）耐高温使得宽禁带半导体可以适用于工作温度在650℃以上的军用武器系统和航空航天设备中；（2）大功率在 PECVD下基底温度对SiC薄膜形态、成分及生长速度的影响 关键词: 碳化硅; 等离子体增强化学气相沉积; 非晶态薄膜; 生长速度; 基底温度 SiC作为宽禁带的第三代半导体材料, 具有高熔点、高热导率、高击穿电场强度、低介电常数及高电子饱和漂移速度等特点, 因此成为制造高温、大 1.1 实验原料及设备.。 设计而言，系统 2013年03月20日上传 - 创新性实验计划 - 西安电子科技大学 2013年3月20日 SiC半导体材料具有宽带隙（Si的3倍）、高饱和漂移速度（Si的2.5倍）、高热导率（Si的3.3倍）、高临界击穿电场（Si的10倍）等突出优点， 禁带材料生长和器件研制的工艺设备和环境，400平方米以上面积的超净实验室环境3套和完整的测试分析设备。 中电子设备应用，较小的透射，高的电场强度以及高的饱和漂移迁移率有利于器件体积减少和复杂内部结构建立。 生产设备进口化，工艺复杂，后处理程序繁冗、产物不纯净的缺点本课题创新点在于：（1）采用自制设备，为碳化硅单晶体的 碳化硅具有高的迁移率、优异的热稳定性和化学稳定性，在高频、大功率、耐高温、抗辐射等电子器件方面有着巨大的应用潜力。
